為避免焚化爐燃燒後再生成戴奧辛等致癌物質，請問該戴奧辛再合成之攝氏溫度區間為何？

400~200℃為戴奧辛de novo再合成的關鍵溫度區間，在飛灰中的碳氯化合物與銅等金屬催化下大量生成，焚化爐需在此區間快速驟冷（<1秒）跳過。