有關以 15 族元素摻雜 Si 形成 n 型半導體的敘述，下列何者正確？
A價帶(valence band)中空穴(hole)濃度大增，費米能階(Fermi level)下移
B費米能階上移，靠近導帶(conduction band)正確答案
C能隙(band gap)顯著放大
D電子遷移率必定下降
答案與詳解
為什麼答案是 B
摻雜15族元素形成 n型半導體，多數載子為電子，會在靠近導帶處形成施體能階，使費米能階上移靠近導帶。
考點：p型半導體特徵考點：n型半導體特徵考點：能隙特性考點：載子遷移率
載入中…
