有關半導體製程之敘，下列何者正確？
A矽晶棒成長法將種晶加熱，再施以高壓由一模具口擠出
B乾式蝕刻較濕式蝕刻所得電路線條精度高正確答案
C積體電路製作流程，先摻雜，在製作薄膜及微影，最後蝕刻
D為保護晶片，須先進行封裝，常用封裝塑膠材料為電木(酚醛樹酯)
答案與詳解
逐選項解析
A矽晶棒成長法將種晶加熱，再施以高壓由一模具口擠出✕ 錯誤
矽晶棒成長（如柴可拉斯基法）是將種晶浸入熔融矽液中，一邊旋轉一邊緩慢向上拉出以形成單晶，並非施以高壓由模具擠出。
B乾式蝕刻較濕式蝕刻所得電路線條精度高✓ 正確
乾式蝕刻（如電漿蝕刻）具有異向性，能精確控制蝕刻方向，避免側向底切，因此所得電路線條精度遠高於等向性的濕式蝕刻。
C積體電路製作流程，先摻雜，在製作薄膜及微影，最後蝕刻✕ 易錯陷阱
D為保護晶片，須先進行封裝，常用封裝塑膠材料為電木(酚醛樹酯)✕ 錯誤
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