下列有關 backscatter peak 的敘述,何者正確?
A代表光子經過四周屏蔽之 backscatter 射進閃爍晶體中正確答案
B代表光子經晶體之 backscatter 後,射進周遭之屏蔽
C代表經 backscatter 進入晶體之特性 X 射線
D代表經 backscatter 進入晶體之碘的特性 X 射線
答案與詳解
正確。原始光子未直接打中晶體,先穿過進入周遭屏蔽材料,在屏蔽中發生近180°康普頓反向散射,散射光子再射進晶體被偵測,於低能區形成約200-250 keV的backscatter peak。
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