關於MOSFET之運作，下列敘述何者正確？
A在關斷區(cutoff)，iD接近工作電壓與負載電阻之比值
B在飽和區，iD幾乎與VDS無關正確答案
C在飽和區，iD僅與VGS無關
D在歐姆區(ohmic)，iD與VDS和VGS皆有關
E在關斷區(cutoff)，iD≒0正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 B、E
飽和區(saturation)中，MOSFET呈現電流源特性，iD主要由VGS決定，對VDS的變化幾乎不敏感（忽略通道長度調變效應時完全無關）。
考點：截止區誤判考點：飽和區電流源考點：飽和區控制變數考點：歐姆區雙變數
載入中…
