關於MOSFET之運作，下列敘述何者正確？
A在關斷區(cutoff)，iD接近工作電壓與負載電阻之比值
B在飽和區，iD幾乎與VDS無關正確答案
C在飽和區，iD僅與VGS無關
D在歐姆區(ohmic)，iD與VDS和VGS皆有關
E在關斷區(cutoff)，iD≒0正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A在關斷區(cutoff)，iD接近工作電壓與負載電阻之比值✕ 易錯陷阱
截止區(cutoff)通道尚未形成，iD≒0，不是VDD/RL的比值。VDD/RL的概念接近飽和/導通極限，與截止區完全相反。
B在飽和區，iD幾乎與VDS無關✓ 正確
C在飽和區，iD僅與VGS無關✕ 易錯陷阱
飽和區iD與VGS「有關」而非無關，iD ≈ (k/2)(VGS-Vth)²，是VGS的函數。選項說「與VGS無關」為錯誤敘述。
D在歐姆區(ohmic)，iD與VDS和VGS皆有關✕ 易錯陷阱
E在關斷區(cutoff)，iD≒0✓ 正確
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