有關輻射誘發染色體變異（chromosome aberrations）的敘述，下列何者正確？
A處於G1期的細胞受照射後，易形成分裂後期橋（anaphase bridge）
B若此變異為染色體易位，細胞通常不會死亡正確答案
C輻射誘發的染色體變異都會造成細胞死亡
DG2期的細胞受照射後，不會形成無中節片段（acentric fragment）
答案與詳解
逐選項解析
A處於G1期的細胞受照射後，易形成分裂後期橋（anaphase bridge）✕ 易錯陷阱
G1期細胞受照射後主要產生「染色體型變異」，包含雙著絲粒、環狀染色體與無中節片段。雖然「雙著絲粒」在分裂後期會形成後期橋，但並非所有G1期變異都會形成後期橋（例如無中節片段就不會），因此「易形成」的表述不夠精確且以偏概全。相比之下，B選項為教科書標準且無爭議的正確敘述。
B若此變異為染色體易位，細胞通常不會死亡✓ 正確
C輻射誘發的染色體變異都會造成細胞死亡✕ 易錯陷阱
輻射誘發的染色體變異並非都會造成細胞死亡。例如平衡易位、或某些未導致關鍵基因丟失的染色單體互換，細胞仍可存活。只有導致遺傳物質嚴重丟失或形成雙著絲粒等致死性變異時，才會造成細胞死亡。
DG2期的細胞受照射後，不會形成無中節片段（acentric fragment）✕ 易錯陷阱
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