地方政府公務人員四等-電子工程類科計算機概要109 年第 7 題單選題

關於動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory ，簡稱 DRAM）和靜態隨機存取記憶體（static random access memory，簡稱 SRAM）之比較，下列說明何者錯誤？

ASRAM 以正反器（Flip-flop gate）儲存資料，而 DRAM 以電容器（Capacitor）儲存資料

B在相同的晶片面積下，DRAM 的儲存容量大於 SRAM

CDRAM 內的資料在關機後會消失，但 SRAM 在關機後仍可維持資料內容正確答案

D與 SRAM 相較，DRAM 的資料存取速度較慢，但相同儲存容量的價錢較便宜

答案與詳解

正確答案

DRAM 和 SRAM 都是揮發性記憶體，關機後資料都會消失，C 錯在把 SRAM 說成非揮發性。

錯誤敘述（本題要選）。DRAM 和 SRAM 都是揮發性（volatile）記憶體，關機後資料通通消失。差別只在 DRAM 連通電時也要週期 refresh，SRAM 只要通電就維持。

考點：儲存結構差異考點：儲存密度考點：揮發性記憶體考點：速度與成本

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