關於 NAND Flash 的敘述，下列何者錯誤？
A在區塊抹寫壽命方面，由長至短依序為 SLC>MLC>TLC
BSLC、MLC、TLC 三者間主要的命名差異在於儲存單元的堆疊架構正確答案
CeMMC 標準中之 eMMC 為 embedded Multi-Media Card 的簡稱
D傳統硬碟與固態硬碟的主要差異在於是否需要機械馬達
答案與詳解
為什麼答案是 B
這是題目要選的錯誤答案。SLC (Single-Level Cell)、MLC (Multi-Level Cell)、TLC (Triple-Level Cell) 命名差異在於「每個儲存單元存幾個 bit」，而非堆疊架構。堆疊是 3D NAND 的概念。
考點：壽命排序考點：命名依據考點：eMMC縮寫考點：HDD vs SSD
載入中…
