下列何種記憶體是使用正反器（Flip-Flop Gate）儲存資料？
AROM（Read-Only Memory）
BDRAM（Dynamic RAM）
CSRAM（Static RAM）正確答案
DPROM（Programmable ROM）
答案與詳解
C
正確答案
SRAM 使用正反器儲存資料，速度快但成本高；DRAM 則使用電容，需定期重新整理。
為什麼答案是 C
SRAM 使用正反器（Flip-Flop）電路來儲存資料，只要不斷電就能保持靜態資料。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 SRAM 使用正反器儲存資料，速度快但成本高；DRAM 則使用電容，需定期重新整理。
秒殺技巧
看到『正反器』選 SRAM，看到『電容』選 DRAM。靜態對正反器，動態對電容。逐選項分析
A✕
ROM 為唯讀記憶體，主要用於儲存韌體或開機程式，內部結構非使用正反器。
B✕ 陷阱
DRAM 使用電容儲存電荷來表示資料，因電容會漏電需定期重新整理，非使用正反器。
C✓ 正確
SRAM 使用正反器（Flip-Flop）電路來儲存資料，只要不斷電就能保持靜態資料。
D✕
PROM 為可程式化唯讀記憶體，透過燒斷熔絲等方式寫入資料，內部結構非正反器。
主記憶體型別比較
| 型別 | 儲存元件 | 特性 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| SRAM | 正反器 (Flip-Flop) | 靜態、速度快、成本高 | 快取記憶體 (Cache) |
| DRAM | 電容 (Capacitor) | 動態、需重新整理、成本低 | 系統主記憶體 |
陷阱提醒
考生常將 SRAM 與 DRAM 的儲存元件搞混。請牢記『靜態』對應『正反器』，『動態』對應『電容』，切勿看到 RAM 就隨便選，必須看清儲存原理。