關於半導體偵檢器（semiconductor detector）的特性，下列敘述何者錯誤？
A採用順向偏壓可以增大空乏區（depletion region）正確答案
B硼可作為 p 型半導體的受體（acceptor）
C磷可作為 n 型半導體的施體（donor）
D空乏區的游離電子往 n 型半導體移動
答案與詳解
為什麼答案是 A
錯誤敘述。順向偏壓會讓多數載子湧入接面，反而「縮小」空乏區；要增大空乏區、提高偵檢效率必須施加「逆向偏壓」（reverse bias）。這是半導體偵檢器運作的基本原理，A把方向講反了。
考點：偏壓方向考點：p型受體考點：n型施體考點：載子移動
載入中…
