下列何者適合用於永久性支架之血管內近接治療（IVBT）的射源？①32P ②48V ③125I ④192Ir

32P為純β⁻射源，射程短、能量集中於血管壁；48V衰變主要釋出β⁺（正電子）並伴隨511 keV湮滅γ輻射，半衰期約16天（精確15.97天），兩者均曾被開發為放射性支架（radioactive stent）材料，用於抑制PTCA術後血管再狹窄，為正解。