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國營聯招 電機電路學、電子學9830單選題

如圖17,已知 iD=0.4mA,Vt=2V,忽略通道效應 λ=0,計算 R 值

題目附圖
A15kΩ正確答案
B16.47kΩ
C17.5kΩ正確答案
D17.76kΩ
答案與詳解
C、A
正確答案
MOSFET飽和區偏壓電路,已知ID=0.4mA、Vt=2V、λ=0,利用閘極無電流(IG=0)與KVL關係求汲極電阻R,正解為C(17.5kΩ)。

為什麼答案是 C、A

17.5kΩ:正確判斷MOSFET在飽和區,並完整列出汲極迴路KVL:R=(VDD-VDS-ID×RS)/ID。代入ID=0.4mA與圖中參數後得R≈17.5kΩ,為標準答案。

考點:KVL漏算RS壓降考點:中間步驟數值偏差考點:NMOS飽和區KVL求R考點:近似取值誤差
載入中…

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