如圖17，N-MOSFET 元件，其 μn·Cox=10 μA/V²，通道 W=200 μm，長 L=10 μm，求元件 Kn 值

採用 Kn = μn·Cox×(W/L)（不含1/2 的工程慣例）：Kn = 10 μA/V² × 20 = 200 μA/V² = 0.2 mA/V²。此定義下 ID 飽和區寫為 (Kn/2)(VGS−Vth)²，是常見教科書寫法之一，故為正解。