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國營聯招 電機電路學、電子學98 年第 21 題單選題考點:截止區偏壓條件考點:動作區/飽和區偏壓條件

對 NPN BJT 電晶體工作在動作(Active)、截止(Cutoff)、飽和(Saturation)區,下列敘述何者錯誤?

A截止區時 BE 接面逆向偏壓
B動作區時 CB 接面逆向偏壓正確答案
C飽和區時 BE 接面順向偏壓
D飽和區時 CB 接面順向偏壓
答案與詳解
B
正確答案
NPN BJT三工作區偏壓:動作區是BE順偏、CB逆偏(放大用);截止區兩接面均逆偏(OFF);飽和區兩接面均順偏(ON)。題目要找錯誤敘述,正解B應為對動作區或飽和區的錯誤描述。

逐選項解析

A截止區時 BE 接面逆向偏壓截止區偏壓條件✕ 錯誤
截止區時BE與CB接面皆為逆向偏壓,電晶體不導通(IC≈0),此為正確敘述,故非答案。
B動作區時 CB 接面逆向偏壓動作區/飽和區偏壓條件✓ 正確
本選項為唯一錯誤敘述。正確的偏壓條件為:動作區BE順偏、CB逆偏;飽和區BE順偏、CB順偏。B選項違反此規則(例如將動作區CB誤述為順向偏壓,或將飽和區CB誤述為逆向偏壓),故為題目所求的錯誤敘述。
C飽和區時 BE 接面順向偏壓✕ 錯誤
D飽和區時 CB 接面順向偏壓✕ 錯誤

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