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國營聯招 電機電路學、電子學110 年第 29 題單選題考點:飽和區偏壓條件考點:截止區條件

有關 NPN 接面之 BJT 電晶體,下列敘述何者有誤?

A基極-射極、基極-集極接面皆施予順向偏壓,電晶體將工作於飽和區
B當基極電流逐漸下降為 0,電晶體將進入截止區
C在飽和區工作之電晶體,若持續對基極-集極增加順向偏壓,增益參數 β 會上升正確答案
D一般 BJT 之電壓增益參數 β 會隨著接面溫度 Tⱼ 上升而增加
答案與詳解
C
正確答案
NPN BJT各工作區偏壓條件與β特性:飽和區β不升反降,溫度升β上升,這是本題核心。

逐選項解析

A基極-射極、基極-集極接面皆施予順向偏壓,電晶體將工作於飽和區飽和區偏壓條件✕ 錯誤
NPN BJT飽和區定義:BE接面順偏+BC接面順偏,敘述正確無誤。
B當基極電流逐漸下降為 0,電晶體將進入截止區截止區條件✕ 錯誤
截止區定義:IB=0,BE與BC均反偏或無偏,電晶體不導通,敘述正確。
C在飽和區工作之電晶體,若持續對基極-集極增加順向偏壓,增益參數 β 會上升✓ 正確
D一般 BJT 之電壓增益參數 β 會隨著接面溫度 Tⱼ 上升而增加✕ 錯誤

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