國營聯招電機電路學、電子學110 年第 32 題單選題

對一 MOSFET 以一固定的 $V_{GS}$ 電壓操作於飽和區，在 $V_{D S} = 4 V$ 時， $i_{D} = 2 m A$ ，且 $V_{D S} = 6 V$ 時， $i_{D} = 2.05 m A$ ，請問其厄利電壓 (Early Voltage) $∣ V_{A} ∣$ 為多少？

A70 V

B76 V正確答案

C80 V

D86 V

答案與詳解

正確答案

MOSFET飽和區厄利電壓：利用兩組(VDS, iD)數據，以斜率外插法求|VA|，答案76V。

A70 V✕ 錯誤

70V代入驗算：(1+6/70)/(1+4/70)=1.0857/1.0571≈1.027≠1.025，不符合題目條件。

B76 V✓ 正確

C80 V✕ 錯誤

80V代入：(1+6/80)/(1+4/80)=1.075/1.05≈1.0238≠1.025，誤差不符。

D86 V✕ 錯誤

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精選詳解

對一 MOSFET 以一固定的 VGS​ 電壓操作於飽和區，在 VDS​=4V 時， iD​=2mA ，且 VDS​=6V 時， iD​=2.05mA ，請問其厄利電壓 (Early Voltage) ∣VA​∣ 為多少？