國營聯招電機電路學、電子學112 年第 37 題單選題

有一空乏型 n 通道 MOSFET，K'n W / L = 2 mA / V²，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)

A當 VD = 0.1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，ID = 0.59 mA

B當 VD = 1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，ID = 5 mA

C當 VD = 3 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，ID = 9 mA

D當 VD = 5 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，ID = 10 mA正確答案

答案與詳解

正確答案

空乏型n通道MOSFET，源極與閘極均接地(VGS=0)，Vt=-3V，判斷操作區並驗算ID，找出計算有誤的選項D。

VDS=5V>VGS-Vt=3V→飽和區判斷正確。但飽和區ID=½×K'n(W/L)×(VGS-Vt)²=½×2×9=9mA，非10mA。D誤稱ID=10mA，此為題目要選的有誤選項。

考點：三極管區電流考點：飽和區邊界電流考點：飽和區ID計算錯誤

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