有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
A矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
B二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
C溫度上升時，障壁電壓上升正確答案
D溫度上升時，漏電流上升
答案與詳解
逐選項解析
A矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高障壁電壓材料比較✕ 錯誤
矽(Si)障壁電壓約0.7V，鍺(Ge)約0.3V，矽確實較高，敘述正確。
B二極體加順向偏壓後，空乏區變窄順偏空乏區變化✕ 錯誤
順向偏壓使外加電場抵消內建電場，空乏區縮窄，有利電流導通，敘述正確。
C溫度上升時，障壁電壓上升✓ 正確
D溫度上升時，漏電流上升✕ 錯誤
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