有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
A矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
B二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
C溫度上升時，障壁電壓上升正確答案
D溫度上升時，漏電流上升
答案與詳解
為什麼答案是 C
溫度上升時熱激發載子增加，障壁電壓（內建電位）實際『下降』（約-2mV/°C），說「上升」為誤，此為本題答案。
考點：障壁電壓材料比較考點：順偏空乏區變化考點：溫度與障壁電壓關係考點：溫度與漏電流關係
載入中…
溫度上升時熱激發載子增加，障壁電壓（內建電位）實際『下降』（約-2mV/°C），說「上升」為誤，此為本題答案。
