國營聯招 電機電路學、電子學112 年第 32 題單選題考點:製作面積比較考點:雜訊特性比較
有關 BJT 與 FET 之比較,下列敘述何者正確?
ABJT 製作面積比 FET 小
B一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大
CBJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件正確答案
DFET 不會發生爾利效應(Early Effect)
C正確答案
BJT 靠電洞+電子雙載子運作;FET 只靠多數載子(單載子),這是最核心區別,正解為 C。
逐選項解析
ABJT 製作面積比 FET 小製作面積比較✕ 易錯陷阱
實際上 FET(尤其 MOSFET)製作面積比 BJT 小,因此 IC 積體電路大量採用 MOSFET,BJT 面積相對較大,敘述相反。
B一般來說,FET 作為放大器的雜訊較大雜訊特性比較✕ 錯誤
FET 作為放大器時雜訊比 BJT 小(尤其低頻雜訊中的熱雜訊、散粒雜訊),故 FET 常用於低雜訊放大器(LNA),敘述相反。
CBJT 是雙載子元件,FET 是單載子元件✓ 正確
DFET 不會發生爾利效應(Early Effect)✕ 易錯陷阱
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