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國營聯招 電機電路學、電子學112 年第 35 題單選題考點:增強型nMOS臨界電壓考點:增強型pMOS導通條件

有關 MOSFET 之敘述,下述何者有誤?

A增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正
B增強型 p 通道 MOSFET 之 VGS 若接正電壓,則無法建立通道
C空乏型 n 通道 MOSFET 之 VGS 可接正電壓或負電壓
D空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在正確答案
答案與詳解
D
正確答案
空乏型(Depletion) MOSFET 結構中本身即存在預設通道,此為其與增強型的核心差異,D選項敘述有誤。

逐選項解析

A增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正增強型nMOS臨界電壓✕ 錯誤
增強型 n 通道 MOSFET 需要正的 VGS 才能感應出 n 型通道,故臨界電壓 Vth > 0,敘述正確。
B增強型 p 通道 MOSFET 之 VGS 若接正電壓,則無法建立通道增強型pMOS導通條件✕ 錯誤
增強型 p 通道 MOSFET 需 VGS < 0(負電壓)才能感應出 p 型通道;若 VGS 接正電壓,無法建立通道,敘述正確。
C空乏型 n 通道 MOSFET 之 VGS 可接正電壓或負電壓✕ 錯誤
D空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在✓ 正確

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