國營聯招電機電路學、電子學100 年第 51 題單選題

如右【圖 29】所示之電路及其轉移特性曲線 (Transfer Characteristics)，其中 A、B、C 分別為 $Q_{1}$ 或 $Q_{2}$ 工作狀態之轉換點，在轉移特性曲線 B 點及 C 點之間，電晶體 $Q_{1}$ 及 $Q_{2}$ 的工作區域為何？

AQ1 歐姆區(Ohmic Region)，Q2 飽和區(Saturation Region)

BQ1 歐姆區，Q2 歐姆區

CQ1 飽和區，Q2 飽和區正確答案

DQ1 飽和區，Q2 歐姆區

答案與詳解

正確答案

CMOS反相器轉移特性曲線最陡峭區段(B至C點)，NMOS與PMOS皆同時處於飽和區，產生高電壓增益。

AQ1 歐姆區(Ohmic Region)，Q2 飽和區(Saturation Region)✕ 錯誤

錯誤。Q1( NMOS) 歐姆區、Q2(PMOS) 飽和區，這是 C 點之後（Vi 很高，Vo 接近 0V）的狀態，此時 NMOS 完全導通。

BQ1 歐姆區，Q2 歐姆區✕ 錯誤

錯誤。兩者在歐姆區無法形成陡峭的轉移特性，且不符合 CMOS 反相器正常切換的邏輯狀態。

CQ1 飽和區，Q2 飽和區✓ 正確

DQ1 飽和區，Q2 歐姆區✕ 易錯陷阱

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精選詳解

如右【圖 29】所示之電路及其轉移特性曲線 (Transfer Characteristics)，其中 A、B、C 分別為 Q1​ 或 Q2​ 工作狀態之轉換點，在轉移特性曲線 B 點及 C 點之間，電晶體 Q1​ 及 Q2​ 的工作區域為何？