矽晶接面二極體等效電路模型中的擴散電容 (Diffusion Capacitance)，是由下列那一項的物理現象所形成？
A金屬和半導體所形成的歐姆接觸
B接面的崩潰效應
C接面空乏區
D二極體順偏時的注入電荷正確答案
答案與詳解
逐選項解析
A金屬和半導體所形成的歐姆接觸歐姆接觸✕ 錯誤
歐姆接觸(Ohmic Contact)是金屬與半導體間的線性低阻接觸，不形成擴散電容，與二極體接面電容無關。
B接面的崩潰效應接面崩潰✕ 錯誤
崩潰效應（雪崩或齊納崩潰）發生在逆偏高電壓下，不涉及電荷儲存的電容效應，而是電流急增現象。
C接面空乏區✕ 易錯陷阱
D二極體順偏時的注入電荷✓ 正確
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