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國營聯招 電機電路學、電子學100 年第 40 題單選題考點:P型/N型混淆考點:增強型導通條件

N型增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是?(VTH 為門檻電壓)

A$V_{GS} < 0$
B$V_{GS} > V_{TH}$正確答案
C$V_{GS} < V_{TH}$
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$
答案與詳解
B
正確答案
N型增強型MOSFET需要正向閘-源極電壓超過門檻電壓VTH才能形成導電通道,條件為VGS > VTH。

逐選項解析

A$V_{GS} < 0$P型/N型混淆✕ 易錯陷阱
VGS < 0 是P型MOSFET或空乏型(Depletion)元件的概念,N型增強型在VGS為負時通道無法形成,反而更截止。
B$V_{GS} > V_{TH}$增強型導通條件✓ 正確
VGS > VTH 是N型增強型MOSFET導通的必要條件,閘-源極電壓超過門檻電壓後才能感應出n型反轉層(通道),使汲-源極電流IDS流通。
C$V_{GS} < V_{TH}$✕ 易錯陷阱
D$\mathrm{V_{GS}} = 0$✕ 錯誤

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