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國營聯招 電機電路學、電子學10414單選題

關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述,下列何者有誤?

A開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊
B順向偏壓時,電流與電壓呈指數關係
C逆向偏壓時,空乏區所形成的電容變大正確答案
D多數載子之移動形成擴散電流
答案與詳解
C
正確答案
p-n接面二極體中,逆向偏壓越大,空乏區越寬,接面電容(空乏電容)反而越小,選項C敘述有誤。

為什麼答案是 C

逆向偏壓增大時,空乏區寬度增加(相當於平行板電容器極板間距增大),空乏電容 Cj ∝ 1/√(V_bi + V_R) 反而減小,敘述「變大」有誤,此為本題應選答案。

考點:空乏區不對稱延伸考點:Shockley指數特性考點:空乏電容逆向特性考點:擴散電流機制
載入中…

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黑皮