關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
A開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊
B順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
C逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大正確答案
D多數載子之移動形成擴散電流
答案與詳解
逐選項解析
A開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊空乏區不對稱延伸✕ 錯誤
空乏區向摻雜濃度低的一側延伸較多，以維持電荷中性（Na·xp = Nd·xn），摻雜低則空乏區深入較寬，敘述正確。
B順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係Shockley指數特性✕ 錯誤
順向偏壓下，二極體電流遵循Shockley方程式 I = I₀(e^(V/nVT) - 1)，電流與電壓呈指數關係，敘述正確。
C逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大✓ 正確
D多數載子之移動形成擴散電流✕ 錯誤
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