有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？ (A) 降低基體(Substrate)的濃度( $N_{A}$ ) (B) 降低源極(Source)區域的濃度( $N_{D}$ ) (C) 降低汲極(Drain)區域的濃度( $N_{D}$ ) (D) 降低閘極(Gate)區域的 $\varepsilon_{0x}/t_{ox}$ ( $\varepsilon_{0x}$ :矽氧化層的電容介電係數; $t_{ox}$ :矽氧化層的厚度)

國營聯招電機電路學、電子學112 年第 34 題單選題

有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？

A降低基體(Substrate)的濃度( $N_{A}$ )正確答案

B降低源極(Source)區域的濃度( $N_{D}$ )

C降低汲極(Drain)區域的濃度( $N_{D}$ )

D降低閘極(Gate)區域的 $\varepsilon_{0x}/t_{ox}$ ( $\varepsilon_{0x}$ :矽氧化層的電容介電係數; $t_{ox}$ :矽氧化層的厚度)

答案與詳解

正確答案

增強型NMOS的臨界電壓VT受多重參數影響，降低基體(p型)摻雜濃度NA是最直接降低VT的方法。

A降低基體(Substrate)的濃度( $N_{A}$ )✓ 正確

B降低源極(Source)區域的濃度( $N_{D}$ )✕ 易錯陷阱

Source區域的ND影響源極歐姆接觸電阻與飽和電流，但VT的決定因素是通道下方基體的NA，並非Source的ND，改變Source濃度不能有效改變VT。

C降低汲極(Drain)區域的濃度( $N_{D}$ )✕ 易錯陷阱

Drain區域的ND主要影響崩潰電壓及DIBL效應等短通道效應，對基本VT公式並無直接貢獻，降低Drain濃度不能有效降低VT。

D降低閘極(Gate)區域的 $\varepsilon_{0x}/t_{ox}$ ( $\varepsilon_{0x}$ :矽氧化層的電容介電係數; $t_{ox}$ :矽氧化層的厚度)✕ 錯誤

這題的完整詳解,註冊就能看 · 每天 2 題免費

精選詳解