國營聯招電機電路學、電子學112 年第 45 題單選題

如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 $g_{m 1} = g_{m 2} = 6 m A / V$ ，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect)，電阻 $R_{S} = R_{D} = 10 K Ω$ 及 $R_{F} = 80 K Ω$ ，請問電流放大倍數 $A_{f} = I_{o} / I_{s}$ 為何？

A-5.9

B-8.9正確答案

C-12.9

D-15.9

答案與詳解

正確答案

並聯-串聯(Shunt-Series)負回授放大電路，求閉環電流增益 Af = Io/Is，正確答案為選項 B（約 −9）。

A-5.9✕ 錯誤

此選項為錯誤結果。其數值 −5.9 可由回授係數方向或回授負載處理錯誤造成；正確閉環增益應由 f=RS/(RF+RS) 並計入有限環路增益得到約 −8.9。

B-8.9✓ 正確

C-12.9✕ 錯誤

此選項絕對值偏大，對應忽略回授網路對輸入/輸出端的負載效應，使開環增益被高估，閉環值未充分被回授壓縮。

D-15.9✕ 易錯陷阱

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精選詳解

如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 gm1​=gm2​=6 mA/V ，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect)，電阻 RS​=RD​=10 KΩ 及 RF​=80 KΩ ，請問電流放大倍數 Af​=Io​/Is​ 為何？