如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 $g_{m1}=g_{m2}=6\ mA/V$ ，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect)，電阻 $R…

Question

如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 $g_{m1}=g_{m2}=6\ mA/V$ ，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect)，電阻 $R_{S}=R_{D}=10\ K\Omega$ 及 $R_{F}=80\ K\Omega$ ，請問電流放大倍數 $A_{f}=I_{o}/I_{s}$ 為何？
(A) -5.9
(B) -8.9
(C) -12.9
(D) -15.9

Accepted Answer

正確答案為 B。 並聯-串聯(Shunt-Series)負回授放大電路，求閉環電流增益 Af = Io/Is，正確答案為選項 B（約 −9）。 (A) 【回授係數方向錯誤】此選項為錯誤結果。其數值 −5.9 可由回授係數方向或回授負載處理錯誤造成；正確閉環增益應由 f=RS/(RF+RS) 並計入有限環路增益得到約 −8.9。 (B) 【Shunt-Series閉環電流增益】正確答案。由圖中電路拓樸可知，回授網路由 RF 與 RS 構成，並聯-串聯回授在環路增益夠大時，閉環電流增益趨近 Af ≈ 1/f。本題 f = RS/(RF+RS) = 10k/90k，故 1/f = 9，考慮電路反相及有限環路增益，精確值約為 −8.9。

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如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 gm1​=gm2​=6 mA/V ，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應(Body Effect)，電阻 RS​=RD​=10 KΩ 及 RF​=80 KΩ ，請問電流放大倍數 Af​=Io​/Is​ 為何？

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