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電路學、電子學107 年第 33 題單選題考點:輸出電阻ro比較考點:轉導gm比較

有關雙極性接面電晶體 BJT 與場效電晶體 FET 的一般特性比較,下列何者有誤?

A輸出電阻 ro:BJT 較 FET 小正確答案
B轉導 gm:BJT 較 FET 大
C本質增益 Ao:BJT 較 FET 大
D輸入阻抗 Ri:BJT 較 FET 小
答案與詳解
A
正確答案
反向題:BJT 的輸出電阻 ro 通常比 FET 大,選項A說「BJT較FET小」為誤。

逐選項解析

A輸出電阻 ro:BJT 較 FET 小輸出電阻ro比較✓ 正確
【有誤,故為答案】BJT的輸出電阻ro(≈VA/IC)通常比MOSFET的ro(≈|VA|/ID)大,並非「BJT較FET小」,此敘述錯誤。
B轉導 gm:BJT 較 FET 大轉導gm比較✕ 錯誤
【正確敘述】BJT的gm=IC/VT(VT≈26mV),在相同偏壓電流下遠大於MOSFET的gm=2ID/VOV,BJT轉導確實較大。
C本質增益 Ao:BJT 較 FET 大✕ 錯誤
D輸入阻抗 Ri:BJT 較 FET 小✕ 錯誤

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