下列敘述，何者錯誤？
A對純矽摻雜磷離子可得到 n 型半導體
B將 p 型與 n 型半導體連結形成迴路並施加足夠電壓可成為發光二極體
C半導體的導電性都是介於導體和絕緣體之間正確答案
DInN 的能隙較 GaN 的能隙小
答案與詳解
逐選項解析
A對純矽摻雜磷離子可得到 n 型半導體n型摻雜✕ 錯誤
矽（Si, 4價）摻雜磷（P, 5價）會多出一個自由電子成為施體（donor），形成以電子為多數載子的 n 型半導體，正確。
B將 p 型與 n 型半導體連結形成迴路並施加足夠電壓可成為發光二極體LED原理✕ 錯誤
p-n 接面在順向偏壓下，電子與電洞於接面復合釋放能量以光形式放出，即為發光二極體（LED）的原理，敘述正確。
C半導體的導電性都是介於導體和絕緣體之間✓ 正確
DInN 的能隙較 GaN 的能隙小✕ 錯誤
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