下列敘述，何者錯誤？
A對純矽摻雜磷離子可得到 n 型半導體
B將 p 型與 n 型半導體連結形成迴路並施加足夠電壓可成為發光二極體
C半導體的導電性都是介於導體和絕緣體之間正確答案
DInN 的能隙較 GaN 的能隙小
答案與詳解
為什麼答案是 C
半導體的本質定義為能隙（band gap）介於導體與絕緣體之間，而非「導電性」。且半導體導電性會隨摻雜、溫度大幅變化，用「都是」太絕對，故錯誤。
考點：n型摻雜考點：LED原理考點：半導體定義考點：能隙比較
載入中…
半導體的本質定義為能隙（band gap）介於導體與絕緣體之間，而非「導電性」。且半導體導電性會隨摻雜、溫度大幅變化，用「都是」太絕對，故錯誤。
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