專技高考-醫事放射師放射線器材學（包括磁振學與超音波學）114 年第 20 題單選題
下列何種組合屬於直接式數位放射攝影（DR）系統？
ANaI–光電二極體
BCsI–光電二極體
CCsI–CCD
Da-Se–薄膜電晶體正確答案
D正確答案
直接式 DR 用 a-Se（非晶硒）光導體直接將 X 光轉為電訊號，由 TFT 陣列讀出，無需中間光轉換。
為什麼答案是 D
非晶硒（a-Se）為光導體，X 光入射後可直接在外加偏壓下產生電子電洞對，電荷由下方 TFT（薄膜電晶體）陣列逐像素讀出，無需光轉換，是標準的「直接式 DR」。
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完整詳解
Pro · 無限重點 直接式 DR 用 a-Se（非晶硒）光導體直接將 X 光轉為電訊號，由 TFT 陣列讀出，無需中間光轉換。
看到「a-Se + TFT」就是直接式 DR；有「閃爍體（CsI、NaI、GdOS）」的都是間接式。
逐選項分析
A✕
NaI(Tl) 是閃爍晶體（常見於核醫 gamma camera），需先將 X 光轉為可見光，再由光電二極體轉電訊號，屬「間接式」偵檢原理，且一般不用於 DR 平板偵檢器。
B✕ 陷阱
CsI(Tl) 為閃爍體，把 X 光轉為可見光後，再用光電二極體轉為電訊號，屬「間接式 DR」。雖是平板偵檢器但多一道光轉換，不符合直接式定義。
C✕ 陷阱
CsI 閃爍體搭配 CCD 讀出，也是間接式數位攝影系統（常見於早期 DR 或齒科）。X 光→光→電，非一步到位，故非直接式。
D✓ 正確
非晶硒（a-Se）為光導體，X 光入射後可直接在外加偏壓下產生電子電洞對，電荷由下方 TFT（薄膜電晶體）陣列逐像素讀出，無需光轉換，是標準的「直接式 DR」。
DR 平板偵檢器分類
| 類型 | 轉換材料 | 讀出元件 | 轉換流程 |
|---|
| 直接式 | a-Se（非晶硒） | TFT | X 光→電荷（一步） |
| 間接式 | CsI(Tl) / GdOS | a-Si 光二極體 + TFT | X 光→可見光→電荷 |
| 間接式(CCD) | CsI(Tl) | 透鏡/光纖 + CCD | X 光→可見光→電荷 |
考生常誤以為「平板偵檢器＝直接式」。其實 CsI 搭配 a-Si 光二極體的平板仍屬間接式。判斷關鍵在「有無閃爍體做光轉換」，而非是否為平板。 
