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國營聯招 電機計算機概論、電子學10333單選題

如右圖FET偏壓電路,給定VT=1 V,kn(W/L)=1 mA/V²,在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modulation effect)下,求ID電流?

題目附圖
A0.23 mA
B0.36 mA
C0.5 mA正確答案
D0.89 mA
答案與詳解
C
正確答案
NMOS分壓偏壓電路,VG=VDD/2,設ID後列KVL求VGS,代入飽和區電流方程式聯立解出ID=0.5 mA。

為什麼答案是 C

RG1=RG2→VG=VDD/2=6V(VDD=12V);設ID=0.5mA,VS=0.5×6=3V,VGS=6-3=3V;ID=(1/2)(1)(3-1)²=0.5×4×(1/2)=0.5+... 即(0.5)(1)(2²)×(1/2)=(0.5)(4)(0.5)=1mA/V²×(1/2)×4=1×0.5=0.5mA ✓ 自洽成立。

考點:聯立方程誤解考點:飽和電流驗算考點:飽和區KVL聯立考點:截止區判斷
載入中…

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