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經濟部所屬事業機計算機概論、電子學103 年第 33 題單選題

如右圖FET偏壓電路,給定VT=1 V,kn(W/L)=1 mA/V²,在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modulation effect)下,求ID電流?

題目圖片
A0.23 mA
B0.36 mA
C0.5 mA正確答案
D0.89 mA
答案與詳解
C
正確答案
NMOS分壓偏壓電路,VG=VDD/2,設ID後列KVL求VGS,代入飽和區電流方程式聯立解出ID=0.5 mA。

逐選項解析

A0.23 mA聯立方程誤解✕ 錯誤
0.23 mA對應VGS約1.68V,代回VS=0.23×6≈1.38V,VG=VDD/2需已知VDD,檢驗不自洽,非正確解。
B0.36 mA飽和電流驗算✕ 錯誤
0.36 mA代回VS=0.36×6=2.16V,VGS=VG-2.16,代入電流公式驗算不成立,非正確解。
C0.5 mA✓ 正確
D0.89 mA✕ 錯誤

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