下列何者對於快閃記憶體（flash memory）的敘述錯誤？
ANOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
BNOR Flash 通常用來儲存程式碼
CNAND Flash 有較高的位元密度
DNAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫正確答案
答案與詳解
逐選項解析
ANOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫✕ 錯誤
NOR Flash 採類似 SRAM 的定址方式，可對單一位址隨機讀取，適合 XIP (就地執行)，敘述正確。
BNOR Flash 通常用來儲存程式碼✕ 錯誤
因 NOR 可隨機讀取且可直接執行程式碼 (XIP)，常用於 BIOS、韌體、開機程式儲存，敘述正確。
CNAND Flash 有較高的位元密度✕ 錯誤
DNAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫✓ 正確
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