下列何者對於快閃記憶體（flash memory）的敘述錯誤？
ANOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
BNOR Flash 通常用來儲存程式碼
CNAND Flash 有較高的位元密度
DNAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
NAND Flash 是以頁(page)讀取、區塊(block)抹除為單位，無法對任意單一位址隨機讀寫，此敘述錯誤，為本題答案。
考點：NOR 隨機存取考點：NOR 存程式考點：NAND 高密度考點：NAND 區塊存取
載入中…
