有關 p 型矽（Si）半導體，下列敘述何者正確？
ASi 半導體的能帶比金屬小
B電洞是移動電荷載體正確答案
C它的導電性能不如純矽
D它是藉由在 Si 中摻雜 P 或 As 製成的
答案與詳解
逐選項解析
ASi 半導體的能帶比金屬小✕ 錯誤
金屬的導帶與價帶重疊，幾乎沒有能隙；半導體則有明顯的能隙(Si約1.1 eV)。因此半導體的能隙比金屬大，而非比較小。
B電洞是移動電荷載體✓ 正確
C它的導電性能不如純矽✕ 易錯陷阱
摻雜的目的就是提高純矽(本質半導體)的導電性。p型半導體因電洞濃度大增，導電性遠優於純矽，此敘述顛倒。
D它是藉由在 Si 中摻雜 P 或 As 製成的✕ 易錯陷阱
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