關於半導體偵檢器，下列敘述何者正確？
A游離輻射在半導體偵檢器中產生正負離子對
B正離子受電場影響向負極移動，負離子或電子受電場影響向正極移動
C若無外加偏壓，正負離子易產生再結合
D外加偏壓為逆向偏壓正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
正確。半導體偵檢器（如 Ge、Si(Li)）必須施加「逆向偏壓 (reverse bias)」以擴大空乏區、降低漏電流，使電子電洞對能被有效收集成為訊號。
考點：電子電洞對考點：電荷載子移動考點：再結合現象考點：逆向偏壓
載入中…
正確。半導體偵檢器（如 Ge、Si(Li)）必須施加「逆向偏壓 (reverse bias)」以擴大空乏區、降低漏電流，使電子電洞對能被有效收集成為訊號。
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