下列對於動態隨機存取記憶體（Dynamic RAM, DRAM）與靜態隨機存取記憶體（Static RAM, SRAM）的敘述何者正確？
A靜態隨機存取記憶體是以正反器（flip-flop gate）的方式設計儲存單元正確答案
B動態隨機存取記憶體的存取速度比靜態隨機存取記憶體快
C靜態隨機存取記憶體需週期性的更新內容以保存其儲存的資料
D在相同的晶片面積下，動態隨機存取記憶體容量小於靜態隨機存取記憶體
答案與詳解
為什麼答案是 A
SRAM 每個儲存單元由 6 個電晶體組成的正反器（flip-flop）構成，可穩定保持 0/1 狀態而不需刷新，這是 SRAM 的核心設計特徵。
考點：SRAM 結構考點：存取速度考點：刷新機制考點：儲存密度
載入中…
