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專技高考-醫事放射師醫學物理學與輻射安全1086單選題

有關鍺(Ge)半導體偵檢器與NaI(I的Kα=28 keV)閃爍偵檢器,量測Cs-137之加馬能譜(光電峰出現在662 keV處),下列敘述何者正確?

A回散射(backscatter)峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣(Compton edge)
B康普吞邊緣(Compton edge)出現之能量位置均相同(478 keV)正確答案
C因I原子序較Ge大,偵測材料體積相同時,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢器有較大豐度
D因I原子序較Ge大,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢器之能量低
答案與詳解
B
正確答案
Cs-137 的 662 keV 加馬射線打到任何偵檢器,康普吞邊緣都固定在 478 keV,與材料無關。

為什麼答案是 B

康普吞邊緣由 180° 反向散射的最大能量轉移決定,公式 Ec = hν / (1 + mec²/2hν),只跟入射光子能量有關,不受偵檢器材料影響。662 keV 算出 478 keV,Ge 與 NaI 都相同。

考點:回散射峰位置考點:康普吞邊緣公式考點:逃逸峰豐度考點:逃逸峰能量
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