有關鍺(Ge)半導體偵檢器與NaI(I的Kα=28 keV)閃爍偵檢器,量測Cs-137之加馬能譜(光電峰出現在662 keV處),下列敘述何者正確?
A回散射(backscatter)峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣(Compton edge)
B康普吞邊緣(Compton edge)出現之能量位置均相同(478 keV)正確答案
C因I原子序較Ge大,偵測材料體積相同時,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢器有較大豐度
D因I原子序較Ge大,Ge半導體偵檢器量測到的逃逸(escape)峰,將較NaI閃爍偵檢器之能量低
答案與詳解
