物理課堂中，老師提問：「半導體的導電性介於金屬和絕緣體之間，以矽（Si）為基礎的半導體有何物理特性？」下列有關同學對這個問題討論的敘述，何者正確？
A「純矽單晶體，室溫下導電性極佳」
B「純矽單晶體，能帶間隙大於絕緣體」
C「純矽晶體摻雜，可以顯著改變其導電性」正確答案
D「純矽晶體可以穿透可見光，可當作光電元件」
答案與詳解
逐選項解析
A「純矽單晶體，室溫下導電性極佳」✕ 易錯陷阱
純矽單晶體在室溫下屬於本徵半導體，因能帶間隙存在，自由電子與電洞濃度不高，導電性並不極佳；其導電性遠低於金屬，需靠升溫或摻雜提升導電能力。
B「純矽單晶體，能帶間隙大於絕緣體」✕ 錯誤
半導體的能帶間隙通常小於典型絕緣體，因此電子較容易由價帶激發至導帶；若純矽的能帶間隙大於絕緣體，反而更難導電，不符合半導體定義。
C「純矽晶體摻雜，可以顯著改變其導電性」✓ 正確
D「純矽晶體可以穿透可見光，可當作光電元件」✕ 易錯陷阱
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