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國營聯招 電機計算機概論、電子學10640單選題

有一增強型MOSFET,其臨界電壓𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) =2 V,當𝑉𝐺𝑆 =8 V時、對應之𝐼𝐷(𝑜𝑛) =200 mA,求𝑉𝐺𝑆 =5 V時之𝐼𝐷 值?

A50 mA正確答案
B100 mA
C125 mA
D150 mA
答案與詳解
A
正確答案
增強型MOSFET飽和區電流公式:ID = K(VGS - Vth)²,先由已知條件求K,再代入新VGS求ID。

為什麼答案是 A

正確答案。K = 200mA/(8-2)² = 200/36 mA/V²,ID = (200/36)×(5-2)² = (200/36)×9 = 50 mA。

考點:MOSFET飽和電流考點:非線性誤判考點:平方律誤用考點:干擾選項
載入中…

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黑皮