有一增強型MOSFET，其臨界電壓 $V_{GS(th)}=2\mathrm{V}$ ，當 $V_{GS}=8\mathrm{V}$ 時、對應之 $I_{D(on)}=200\mathrm{mA}$ ，求 $V_{GS}=5\mathrm{V}$ 時之 $I_D$ 值？

正確答案。增強型MOSFET於飽和區操作時遵循平方律特性，ID = k(VGS - Vth)²。由已知條件求得k值後，代入VGS=5V計算得ID=50mA，符合物理模型與數學推導。