下列何者對電晶體放大電路高頻響應影響較大？
A耦合電容
B旁路電容
C電晶體內部電容正確答案
D反耦合電容
答案與詳解
為什麼答案是 C
電晶體內部寄生電容（如 Cbe、Cbc，即 BJT 的 Cπ 與 Cμ，或 MOSFET 的 Cgs、Cgd）在高頻時阻抗降低，會對訊號造成短路效應，產生高頻截止頻率（fH），是高頻響應惡化的主因。
考點：低頻截止/耦合電容考點：低頻截止/旁路電容考點：高頻截止/內部寄生電容考點：干擾選項
載入中…
電晶體內部寄生電容（如 Cbe、Cbc，即 BJT 的 Cπ 與 Cμ，或 MOSFET 的 Cgs、Cgd）在高頻時阻抗降低，會對訊號造成短路效應，產生高頻截止頻率（fH），是高頻響應惡化的主因。
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