關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
A開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊
B順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
C逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大正確答案
D多數載子之移動形成擴散電流
答案與詳解
為什麼答案是 C
逆向偏壓會使空乏區寬度增加(d變大)，根據平行板電容公式 C = εA/d，d增大導致電容值變小，而非變大。題目問「有誤」，故C為正解。
考點：空乏區分布考點：蕭克利方程式考點：接面電容特性考點：擴散電流
載入中…
逆向偏壓會使空乏區寬度增加(d變大)，根據平行板電容公式 C = εA/d，d增大導致電容值變小，而非變大。題目問「有誤」，故C為正解。
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