下列何者最不適合做為數位放射攝影（digital radiography, DR）的X光捕獲元件（capture element）？
ACsI
Bamorphous selenium（a-Se）
CGdOS
DGe正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
鍺(Ge)為半導體材料，主要用於游離輻射能譜偵測（如HPGe探測器）等領域，並非DR平板偵測器的X光捕獲元件，故為最不適合的選項。
考點：間接式閃爍體考點：直接式光導體考點：釓系閃爍體考點：非DR捕獲材料
載入中…
鍺(Ge)為半導體材料，主要用於游離輻射能譜偵測（如HPGe探測器）等領域，並非DR平板偵測器的X光捕獲元件，故為最不適合的選項。
Examly 收錄 38 萬+ 道歷屆題目，每題都有像這樣的精選詳解。免費下載，立即開練。
