專技高考-醫事放射師放射線診斷原理與技術學110 年第 5 題單選題
下列何者最不適合做為數位放射攝影（digital radiography, DR）的X光捕獲元件（capture element）？
ACsI
Bamorphous selenium（a-Se）
CGdOS
DGe正確答案
D正確答案
DR的X光捕獲元件需具高原子序與良好X光吸收能力，CsI、a-Se、GdOS皆為常用偵測材料，鍺(Ge)非DR捕獲元件。
為什麼答案是 D
鍺(Ge)為半導體材料，主要用於游離輻射能譜偵測（如HPGe探測器）等領域，並非DR平板偵測器的X光捕獲元件，故為最不適合的選項。
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完整詳解
Pro · 無限重點 DR的X光捕獲元件需具高原子序與良好X光吸收能力，CsI、a-Se、GdOS皆為常用偵測材料，鍺(Ge)非DR捕獲元件。
刷掉常見偵測器材料(CsI、a-Se、GdOS)，剩下的Ge就是答案。
逐選項分析
A✕
CsI（碘化銫）是間接式DR平板偵測器最常用的閃爍體(scintillator)，能將X光轉換成可見光，其針狀結構可減少光散射、提升解析度，是標準捕獲元件。
B✕
非晶硒(a-Se)是直接式DR平板偵測器的核心材料，可直接將X光轉換成電荷訊號，免去光電轉換步驟，空間解析度佳，是典型X光捕獲元件。
C✕ 陷阱
GdOS（釓氧硫，Gd2O2S）為傳統增感屏與部分DR系統使用的閃爍材料，可有效吸收X光並發光，屬間接式捕獲元件，名稱較陌生但確為偵測材料。
D✓ 正確
鍺(Ge)為半導體材料，主要用於游離輻射能譜偵測（如HPGe探測器）等領域，並非DR平板偵測器的X光捕獲元件，故為最不適合的選項。
DR 捕獲元件材料比較
| 材料 | 類型 | 轉換方式 | 用途 |
|---|
| CsI | 間接式 | X光→可見光 | 閃爍體，高解析 |
| a-Se | 直接式 | X光→電荷 | 光導體 |
| GdOS | 間接式 | X光→可見光 | 閃爍體/增感屏 |
| Ge | 半導體 | 能譜偵測 | 非DR捕獲元件 |
本題以陌生材料名稱(GdOS)誘導誤選，但GdOS其實是常見閃爍體。真正陷阱在於辨別Ge是半導體能譜偵測材料而非DR平板的捕獲元件，需熟悉直接/間接式偵測器材料。 
