如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 Threshold Voltage 電壓值 VT，下列敘述何者正確？
A降低基體(Substrate)的濃度(NA)正確答案
B降低源極(Source)區域的濃度(ND)
C降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
D降低閘極(Gate)區域的 εox/tox（εox：矽氧化層的 permittivity；tox：矽氧化層厚度）
答案與詳解
逐選項解析
A降低基體(Substrate)的濃度(NA)NA與VT正相關✓ 正確
基體(P型)濃度NA降低，費米電位φF減小，空乏層電荷Qd減少，VT公式中兩項均下降，VT有效降低。這是正確答案。
B降低源極(Source)區域的濃度(ND)源極濃度無關VT✕ 錯誤
源極N+區濃度ND影響的是源極-基體接面特性，並非VT的主要決定參數；降低ND對VT幾乎沒有直接有效影響，且實務上ND通常已為重摻雜。
C降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)✕ 錯誤
D降低閘極(Gate)區域的 εox/tox（εox：矽氧化層的 permittivity；tox：矽氧化層厚度）✕ 易錯陷阱
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