如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 Threshold Voltage 電壓值 VT，下列敘述何者正確？
A降低基體(Substrate)的濃度(NA)正確答案
B降低源極(Source)區域的濃度(ND)
C降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)
D降低閘極(Gate)區域的 εox/tox（εox：矽氧化層的 permittivity；tox：矽氧化層厚度）
答案與詳解
為什麼答案是 A
基體(P型)濃度NA降低，費米電位φF減小，空乏層電荷Qd減少，VT公式中兩項均下降，VT有效降低。這是正確答案。
考點：NA與VT正相關考點：源極濃度無關VT考點：汲極濃度無關VT考點：Cox方向陷阱
載入中…
