對一 MOSFET 以一固定的 $v_{\mathrm{GS}}$ 電壓操作在飽和區，在 $v_{\mathrm{DS}} = 4 \mathrm{~V}$ 時， $i_{\mathrm{D}} = 2 \mathrm{~mA}$ ，且 $v_{\mathrm{DS}} = 8 \mathrm{~V}$ 時， $i_{\mathrm{D}} = 2.1 \mathrm{~mA}$ ，請問其爾利電壓(Early Voltage) $|V_{\mathrm{A}}|$ 為多少？

正確答案為 B。MOSFET飽和區電流受通道長度調變效應影響，利用兩組Vds與Id數據點反推爾利電壓VA。

經濟部所屬事業機計算機概論、電子學105 年第 34 題單選題

對一 MOSFET 以一固定的 $v_{GS}$ 電壓操作在飽和區，在 $v_{DS} = 4 V$ 時， $i_{D} = 2 mA$ ，且 $v_{DS} = 8 V$ 時， $i_{D} = 2.1 mA$ ，請問其爾利電壓(Early Voltage) $∣ V_{A} ∣$ 為多少？

A70 V

B76 V正確答案

C80 V

D86 V

答案與詳解

正確答案

MOSFET飽和區電流受通道長度調變效應影響，利用兩組Vds與Id數據點反推爾利電壓VA。

正確答案。由 Id=K(1+Vds/VA) 建立兩式：2=K(1+4/VA) 與 2.1=K(1+8/VA)。兩式相除消去K得 2.1/2=(1+8/VA)/(1+4/VA)，解得 VA=76V。

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