104 年 · 電子學大意
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如圖所示之理想運算放大器電路， $A_{O}=\infty$ ，輸入訊號為一弦波，頻率為2 MHz，假使輸出之大小為輸入訊號之大…
如圖所示電路，假設 $R_{1}=R_{2}=R_{g}=R_{f}=10k\Omega$ ，且輸入電壓 $V_{1}=3V$ …
如圖所示電路，R1= 1 kΩ，R2= 10 kΩ，Vi = 1 V，則 Vo=？
如圖所示之電路，其輸出之正邏輯函數為何？
假設一 CMOS 反相器（inverter）之負載電容 CL 為 2 pF，偏壓（bias）電壓為 5 V，且其切換頻率為 10…
當一虛擬（pseudo）NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時，其中的 NMOS 和 PMOS 的操作區域分別為何？
半導體 pn 接面在接面處會產生一空乏區，在 n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是：
圖中 $\frac{V_{o}}{I_{i}}(s)$ 為帶通濾波器，下列敘述何者正確？
利用下列何種效應可以測出半導體是屬於 P 型或 N 型？
關於圖中含理想運算放大器之振盪器，下列何者錯誤？
二極體不具下列何種功能？
如圖的二極體電路，設各二極體為理想二極體，則電流 Io 為：
圖示整流電路，若輸入弦波 vI 與電阻 R 皆固定，今若電容 C 變大，下列敘述何者正確？
如圖所示之電路，二極體導通之壓降為 $0.7 \, V$ ， $RC >> v_{i}$ 之週期，求電路穩態時之 $V_{3}$…
利用歐姆錶來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為低值，表示該二極體的狀況是：
圖示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓，vO 為輸出電壓，本電路為：
P 通道之 MOSFET 其傳導電荷載子是：
關於以下之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區？
雙極性接面電晶體（BJT）中，那種電路組態其電壓增益（Av）大於 1 且電流增益（Ai）近似於 1？
下列組態的串接放大器，何者的輸入電阻最小？
一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 $I_{D}$ 與過激電壓 $V_{ov}$ （Overdrive Voltag…
空乏型 N 通道 MOSFET，閘極和源極間電壓 VGS 加上一負電壓時，通道導通程度會：
如圖為一共汲極(common drain)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導(transconductance)參數…
試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, $V_{GS}-V_{t}$ ） $V_{o…
如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之 $V_{t}=0.5\ V$ ， $V…
若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET，且電壓增益 ( $v_{o}/v_{i}$ ) 為 -3.3，則 $R_{in}$…
如下圖電路，其 $R_{S}=1\ k\Omega$ 、 $C_{C}=0.2\ \mu F$ 、 $r_{\pi}=1.2\ …
有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當 $g_m$ 增加時，利用米勒效應（Miller effect）估計等效輸入電容…
如圖的共集極（common collector）（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於順向主動區（forward a…
分析以下之電路，若 BJT 皆操作在順向主動區（forward active region）且轉導（transconductan…
如圖電路中若齊納二極體的 $V_{Z}=10\ V$ ，電源 $V=20\ V$ ， $R=2\ k\Omega$ ， $R_{…
具有相位落後特性的電路，其輸出相對於輸入而言有下列何項特性？
如圖之差動對電路，電晶體之 $\beta=100, r_{o}\rightarrow\infty, R_{C}=4\ k\Ome…
圖示電路，若電晶體 Q1、Q2、Q3 之特性完全相同，則 IO / IREF 與 β 之關係約為：
關於摺疊式疊接（folded cascode）放大器,vI 為輸入電壓,vO 為輸出電壓,相較於傳統疊接（cascode）放大器…
一環形振盪器是由五個反相器所構成，若反相器的傳播延遲為 4 ns，其振盪頻率為何？
達靈頓放大器具有下列何種特性？
某一放大器的中頻帶電壓增益為 100，若其低頻 -3dB 頻率為 1 kHz，當操作頻率為 f＝100 Hz 時，則此時電壓增益…
一BJT放大器操作在 $I_{C} = 1\mathrm{mA}$ 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency…
有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝VO(s) / VI(s)，其中 s＝jω＝j2πf： …