技師電子學大意104 年第 21 題單選題

一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 $I_{D}$ 與過激電壓 $V_{o v}$ （Overdrive Voltage, $V_{GS} - V_{t}$ ）的關係為：

AID ∝

BI D ∝ Vov

CI D ∝ Vov

DI D ∝ Vov Vov正確答案

答案與詳解

正確答案

飽和區 MOSFET 的汲極電流與過激電壓平方成正比,故

I_{D} \propto V_{o v}^{2}

。

正確。飽和區電流與過激電壓的平方成正比,符合長通道 MOSFET 平方律模型。

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一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 ID​ 與過激電壓 Vov​（Overdrive Voltage, VGS​−Vt​）的關係為：