一個操作於飽和區的 MOS 電晶體，其汲極電流 與過激電壓 （Overdrive Voltage, ）的關係為：
A$I_{D} \propto \frac{1}{V_{ov}}$
B$\mathrm{I_D} \propto \sqrt{\mathrm{V_{ov}}}$
C$\mathrm{I}_{\mathrm{D}} \propto \mathrm{V}_{\mathrm{ov}}$
D$I_{D} \propto V_{ov}^{2}$正確答案
答案與詳解
為什麼答案是 D
依據 MOSFET 飽和區電流公式：ID = (1/2) * μn * Cox * (W/L) * (VGS - Vt)²，可知 ID 與 Vov² 成正比。
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