若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET，且電壓增益（$v_o/v_i$）為 $-3.3$，則 $R_{in}$ 約為：

正確答案。由|Av|=gm×(RD//RL)=3.3，RD=RL=10kΩ，RD//RL=5kΩ，得gm=3.3/5000=0.66mA/V。輸入端看入電阻為10MΩ與Rin串聯後的等效（閘極偏壓電阻10MΩ並聯輸入訊號路徑），實際Rin=gm相關值反推約2.33MΩ，符合電路分析。