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初考-電子工程電子學大意113 年第 8 題單選題

有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？

A射極對基底
B汲極對基底
C閘極對源極正確答案
D源極對基底
答案與詳解
C
正確答案
MOSFET 通道由閘源電壓 VGS 控制，這是 FET 最核心的觀念。

為什麼答案是 C

閘極對源極電壓 VGS 超過臨界電壓 Vth 時，感應反轉層形成通道；VGS 越大通道越寬、導通電流越大，這是 MOSFET 工作核心。

考點：BJT/FET混淆考點：汲極電壓作用考點：VGS控制通道考點：基體效應
載入中…

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