初考-電子工程電子學大意113 年第 8 題單選題
有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
A射極對基底
B汲極對基底
C閘極對源極正確答案
D源極對基底
C正確答案
MOSFET 通道由閘源電壓 VGS 控制，這是 FET 最核心的觀念。
為什麼答案是 C
閘極對源極電壓 VGS 超過臨界電壓 Vth 時，感應反轉層形成通道；VGS 越大通道越寬、導通電流越大，這是 MOSFET 工作核心。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 MOSFET 通道由閘源電壓 VGS 控制，這是 FET 最核心的觀念。
看到 MOSFET 控制端→直接選閘極(Gate)相關，答案幾乎都是 VGS。
逐選項分析
A✕ 陷阱
射極(Emitter)是 BJT 雙載子電晶體的端點，MOSFET 根本沒有射極，名詞張冠李戴。
B✕
汲極對基底(VDB)影響的是汲極端空乏區寬度與夾止現象，非控制通道形成的主因。
C✓ 正確
閘極對源極電壓 VGS 超過臨界電壓 Vth 時，感應反轉層形成通道；VGS 越大通道越寬、導通電流越大，這是 MOSFET 工作核心。
D✕ 陷阱
源極對基底電壓(VSB)會造成「基體效應(Body Effect)」使 Vth 提高，是次要修正因素，非主要控制量。
MOSFET 三大電壓作用對照
| 電壓 | 符號 | 作用 | 重要性 |
|---|
| 閘-源 | VGS | 控制通道寬窄、決定導通 | ★★★ 主要 |
| 汲-源 | VDS | 驅動電流、決定工作區 | ★★ 次要 |
| 源-基 | VSB | 基體效應、調整 Vth | ★ 修正 |
選項 A「射極」是 BJT 的端點，MOSFET 根本沒這東西，考選部最愛把 BJT 和 FET 端點混在一起騙你。看到 MOSFET 題出現射極/基極/集極→直接刪除。 
