初考-電子工程電子學大意113 年第 32 題單選題
某 MOS 場效電晶體的電流 ID=500 μA、參數 λ=0.025 V−1,則其輸出阻抗 ro 為何?
A80 kΩ正確答案
B50 kΩ
C25 kΩ
D12.5 kΩ
A正確答案
r_o = 1/(λI_D) = 1/(0.025×500μ) = 80 kΩ,選 (A)。
載入中…
完整詳解
Pro · 無限重點 r_o = 1/(λI_D) = 1/(0.025×500μ) = 80 kΩ,選 (A)。
1. MOSFET 小訊號輸出阻抗公式:$r_o = \dfrac{1}{\lambda I_D}$
2. 代入 λ = 0.025 V⁻¹、I_D = 500 μA = 5×10⁻⁴ A
3. 計算分母:0.025 × 5×10⁻⁴ = 1.25×10⁻⁵
4. r_o = 1 / 1.25×10⁻⁵ = 80,000 Ω = 80 kΩ
逐選項分析
B✕
50 kΩ,可能誤用 1/(2λI_D) 之類錯誤公式所得。
知識整理
| 重點 |
|---|
| MOSFET 飽和區小訊號參數: |
| - 通道長度調變參數 λ:反映 V_DS 對 I_D 的影響 |
| - 輸出阻抗 r_o = 1/(λI_D) ≈ V_A/I_D(V_A = 1/λ 為 Early 電壓) |
| - I_D 越大或 λ 越大 → r_o 越小 |
注意 I_D 單位為 μA,需轉成 A;勿將 λ 與 I_D 顛倒或忘記取倒數。