有關矽空乏型 MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
An 通道的空乏型 MOSFET 是使用 p 型基座（substrate）
Bn 通道的空乏型 MOSFET 需另加正值 VGS，才能感應出通道正確答案
C其通道電流 ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
Dn 通道的空乏型 MOSFET 之 VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值
答案與詳解
為什麼答案是 B
錯誤（本題要選的答案）。空乏型MOSFET在製造時已預先摻雜形成通道，VGS=0即有ID。需「另加正VGS才感應通道」的是n通道「增強型」MOSFET，兩者觀念混淆。
考點：MOSFET結構考點：空乏vs增強考點：氧化層效應考點：臨界電壓極性
載入中…
