某場效電晶體工作在飽和區，其 iD-vGS 關係如圖所示，則此電晶體為：

圖中閾值電壓 Vt 位於 vGS 正軸上（Vt > 0），vGS < Vt 時 iD = 0，需正向 vGS 才能導通，且電流隨 vGS 增大而急速上升（拋物線），完全符合增強型 NMOS 的 iD = k(vGS - Vt)² 特性。