鐵路人員考試高員三級-電子工程電子學大意109 年第 7 題單選題

有一 N 通道空乏型 MOSFET 的 $I_{D S S} = 12 m A$ ，夾止電壓 $V_{GS (o f f)} = - 4 V$ ，當 $V_{GS} = - 3 V$ 時， $I_{D}$ 之值應為多少？

A1 mA

B0.75 mA正確答案

C0.5 mA

D0 mA

答案與詳解

正確答案

代入Shockley方程式

I_{D} = I_{D S S} (1 - V_{GS} / V_{GS (o f f)})^{2}

,得 0.75 mA。

0.75 mA:正確,符合 Shockley 方程式計算結果。

載入中…

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有一 N 通道空乏型 MOSFET 的 IDSS​=12mA ，夾止電壓 VGS(off)​=−4V ，當 VGS​=−3V 時， ID​ 之值應為多少？